我国驰拓科技在SOT-MRAM技能上获得重大打破！

  近来，浙江驰拓科技在高性能存储技能范畴获得了一项令人瞩目的打破——自旋轨迹矩磁性随机存取存储器（SOT-MRAM）。这项技能被誉为未来或许替代传统CPU缓存，在存储范畴编写新的篇章。SOT-MRAM以其纳秒级写入速度、无限擦写次数，成为了处理当时静态随机存取存储器（SRAM）高本钱与功耗难题的期望之星。

  在2024年12月7日至11日的国际微电子范畴尖端学术会议IEDM上，浙江驰拓科技推出了论文《一种具有115%地道磁电阻比（TMR）、2纳秒切换速度及高比特良率（99.9%）的无轨迹SOT-MRAM》，引发了广泛重视。公然，业界专家纷繁赞赏这项立异的“无写通路”规划，大幅度降低了器材制作工艺的复杂性，处理了传统计划刻蚀良率低的问题。

  驰拓科技的新式笔直型SOT-MRAM结构将磁性地道结（MTJ）直接置于两个电极之间，不再依赖于准确操控的轨迹层，大大简化了刻蚀进程。这一立异不只显着提高了制作良率，从业界常见的99.6%提高至逾越99.9%，更为大规模出产铺平了路途。

  来自AVALANCHE公司的MRAM专家Huai Yiming博士表明，这项技能展示了极高的工业化价值，而中科院微电子所的杨美音研讨员必定了这一规划消除了刻蚀进程中写通路被断开的危险。这项研讨的含义深远，未来SOT-MRAM技能将在存内核算、神经形状核算等新式范畴展示出巨大潜力。

  一起，华中科技大学的蔡凯明教授也以为，这一打破标志着我国鄙人一代MRAM技能上正逐渐追逐甚至逾越国际同行，坚决了第三代磁存储工业高质量开展的决心。

  跟着技能的渐渐的提高，SOT-MRAM的广泛应用指日可下，未来有望成为存储商场的新干流。在这场存储技能的革射中，浙江驰拓科技无疑是引领者之一，让我们一起等待这项技能怎么改动未来的核算国际。回来搜狐，检查更加多